1단계
| 더블 게이트 올 어라운드 구조의 나노트랜지스터 제조방법, 이로부터 제조된 나노트랜지스터 및 이를 이용한 익스텐디드 게이트(extended-gate) 구조의 센서 |
| 차년도 | 2차년도 | 세부 | 2세부 |
| 지식재산권 | 특허 | 출원/등록 | 출원 |
| 출원/등록번호 | 10-2019-0152928 | 출원/등록일 | 20191126 |
| 국내/국제 | 국내 | 출원국가명 | 대한민국 |
| 발명자명 | 안재혁, 권재 |
| 출원/등록기관 | 광운대학교 산학협력단 |
| 활용형태 | 기술이전준비중 | 공동특허여부 | 단독 |
| NDAC 사사 (사사개수) |
Y(2) | 기여도 | 50 % |
| PDF 파일 |
015_20191126_더블 게이트 올 어라운드 구조의 나노트랜지스터 제조방법.pdf
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DATE : 2020-11-26 16:56:59
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