2단계
| 최적의 전하주입 균형을 위해 수정된 산화아연 마그네슘 기반 InP Quantum Dot 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
| 차년도 | 3차년도 | 세부 | 3세부 |
| 지식재산권 | 특허 | 출원/등록 | 출원 |
| 출원/등록번호 | 10-2023-0100408 | 출원/등록일 | 20230801 |
| 국내/국제 | 국내 | 출원국가명 | 대한민국 |
| 발명자명 | 이현호 |
| 출원/등록기관 | 광운대학교 산학협력단 |
| 활용형태 | 보유기관자체활용 | 공동특허여부 | 단독 |
| NDAC 사사 (사사개수) |
Y(1) | 기여도 | 100 % |
| PDF 파일 |
058_20230801_출원_최적의 전하주입 균형을 위해 수정된 산화아연 마그네슘 기반 InP Quantum Dot 발광 다이오드 및 그 제조방법_개인정보삭제.pdf
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DATE : 2026-04-07 15:28:06
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