3단계
실리콘나이트라이드 격자 안테나가 집적된 박막 리튬나이오베이트 실리콘나이트라이드 전기광학 위상배열 장치 |
차년도 | 1차년도 | 세부 | 1세부 |
지식재산권 | 특허 | 출원/등록 | 출원 |
출원/등록번호 | 10-2024-0198821 | 출원/등록일 | 20241227 |
국내/국제 | 국내 | 출원국가명 | 대한민국 |
발명자명 | 이상신, 이우빈, 권윤재, 선우윤호 |
출원/등록기관 | 광운대학교 산학협력단 |
활용형태 | 기술이전준비중 | 공동특허여부 | 단독 |
NDAC 사사 (사사개수) |
Y(3) | 기여도 | 33 % |
PDF 파일 |
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