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연구실적

 

 

 

NDAC

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서울시 노원구 광운로 20, 광운대학교 비마관 530호 (우:01897)
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특허

1단계
더블 게이트 올 어라운드 구조의 나노트랜지스터 제조방법, 이로부터 제조된 나노트랜지스터 및 이를 이용한 익스텐디드 게이트(extended-gate) 구조의 센서


차년도  2차년도 세부  2세부
지식재산권  특허 출원/등록  출원
출원/등록번호  10-2019-0152928 출원/등록일  20191126
국내/국제  국내 출원국가명  대한민국

 

발명자명  안재혁, 권재
출원/등록기관  광운대학교 산학협력단

 

활용형태  기술이전준비중 공동특허여부  단독
NDAC 사사
 (사사개수)
 Y(2) 기여도  50 %
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