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NDAC

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논문

3단계
Understanding thickness-dependent stability of tungsten-doped indium oxide transistors


차년도  1차년도  세부  1세부
학술지명  Applied Physics Letters 학술지구분  국제
개재년월  20241025 IF  3.5
개재권(호)  125 페이지  173507
ISSN  0003-6951 DOI  https://doi.org/10.1063/5.0228363

 

공동연구  단독 JCR 분야  PHYSICS, APPLIED
제1저자명  Hyunjin Kim , Hyun-Sik Choi 교신저자명  Won-Ju Cho, Hamin Park
총저자명  Hyunjin Kim, Hyun-Sik Choi, Gyungwon Yun, Won-Ju Cho, Hamin Park

 

NDAC 사사
 (사사개수)
 Y(4) 기여도  25 %
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