2단계
| Bi-directional threshold voltage shift of amorphous InGaZnO thin film transistors under alternating bias stress |
| 차년도 | 3차년도 | 세부 | 1세부 |
| 학술지명 | Semiconductor Science and Technology | 학술지구분 | 국제 |
| 개재년월 | 20240123 | IF | 1.9 |
| 개재권(호) | 39 | 페이지 | 025011 |
| ISSN | DOI | https://doi.org/10.1088/1361-6641/ad1b15 |
| 공동연구 | 단독 | JCR 분야 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC |
| 제1저자명 | Hyunjin Kim | 교신저자명 | 박하민 |
| 총저자명 | Hyunjin Kim, Beom Jung Kim, Jungyeop Oh, Sung-Yool Choi, Hamin Park | ||
| NDAC 사사 (사사개수) |
Y(6) | 기여도 | 15 % |
| PDF 파일 |
Kim_2024_Semicond._Sci._Technol._39_025011.pdf
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DATE : 2024-02-26 15:06:52
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