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NDAC

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논문

2단계
Non-volatile flash memory based on Van der Waals gate stack using bandgap tunability of hexagonal boron nitride


차년도  2차년도  세부  1세부
학술지명  Surfaces and Interfaces 학술지구분  국제
개재년월  20220705 IF  6.137
개재권(호)  32 페이지  102179
ISSN   DOI  https://doi.org/10.1016/j.surfin.2022.102179

 

공동연구  공동 JCR 분야  MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS
제1저자명  Byung Chul Jang 교신저자명  Hamin Park
총저자명  Byung Chul Jang, Hamin Park

 

NDAC 사사
 (사사개수)
 1(3) 기여도  30 %
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