2단계
| Turn-around of threshold voltage shift in amorphous InGaZnO TFT under positive bias illumination stress |
| 차년도 | 3차년도 | 세부 | 1세부 |
| 학술지명 | Solid-State Electronics | 학술지구분 | 국제 |
| 개재년월 | 20230301 | IF | 1.916 |
| 개재권(호) | 201 | 페이지 | 108605 |
| ISSN | 0038-1101 | DOI | https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108605 |
| 공동연구 | 공동 | JCR 분야 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC |
| 제1저자명 | Juwon Kim | 교신저자명 | Hamin Park |
| 총저자명 | Juwon Kim, Hyunjin Kim, Jungyeop Oh, Sung-Yool Choi, Hamin Park | ||
| NDAC 사사 (사사개수) |
Y(4) | 기여도 | 25 % |
| PDF 파일 |
SSE_201_108605_2023.pdf
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DATE : 2023-05-09 09:39:55
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