2단계
| Voltage Boosted Fail Detecting Circuit for Selective Write Assist and Cell Current Boosting for High-Density Low-Power SRAM |
| 차년도 | 2차년도 | 세부 | 3세부 |
| 학술지명 | IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers | 학술지구분 | 국제 |
| 개재년월 | 20221208 | IF | 4.14 |
| 개재권(호) | vol. 70, no. 2 | 페이지 | 797-805 |
| ISSN | DOI | 10.1109/TCSI.2022.3226464 |
| 공동연구 | 단독 | JCR 분야 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC - SCIE |
| 제1저자명 | Jaehyun Park | 교신저자명 | Hanwool Jeong |
| 총저자명 | Jaehyun Park, Sangheon Lee, Hanwool Jeong | ||
| NDAC 사사 (사사개수) |
Y(1) | 기여도 | 100 % |
| PDF 파일 |
Voltage_Boosted_Fail_Detecting_Circuit_for_Selective_Write_Assist_and_Cell_Current_Boosting_for_High-Density_Low-Power_SRAM.pdf
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DATE : 2023-03-20 19:59:19
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